De formulering veur grove, gemiddelde en fijne SiC-deilkes zou 5:1:4 motte zien. Zwarte SiC weurt meistal gekoze es ruwmattriaol veur ‘t producere vaan siliciumcarbidesteine; de chemische samestèlling is es volg: SiC 98,0%, vrije C 0,5%, Fe 0,2% en vrije SiO2 0,6%. De productieprocesse variëre aafhankelik vaan de bindingsmethode. Korte sjetse vaan de processe veur versjillende bindingsmethodes zien wie volg:
(1) Siliciumnitride-gebonde siliciumcarbidesteine: Greune liechame gevörmp oet grof, middelgroet en fijn SiC-deilkes en fijn siliciumpoeder weure in ‘n pure N2-atmosfeer op 1370 graode gebrande. Dit produceert ‘n bakstein mit ‘n -SiC-skelet en ‘n - en -Si₃N4-matrix. Kleine wieväölhede residual silicium en SiO2 blieve in de matrix; de relatieve inhoud vaan dees oonderdeile versjilt per fabrikant.
(2) Siliciumcarbidesteine: SiC, siliciumpoeier en koolstofpoeier were gemengd en gegote volgens ‘n specifieke verhouding, en vervolgens op 1400 graode in ‘n reducerende atmosfeer gebrand. In de meiste gevalle weurt ‘t brande oetgeveurd mit de bakstein die in koolstof begrave zeen. Tijdens ‘t brande weurt ‘n bakstein mit ‘n -SiC-skelet en ‘n fijn-korrelige -SiC-matrix geproduceerd. De -SiC weurt gevörmp door de reactie vaan fien siliciumpoeier mèt fijn koolstofpoeier tijdens ‘t brande; dit product bevat ouch kleine wieväölhede restant silicium en koolstof.
(3) Siliciumoxynitride-gebonde siliciumcarbidesteine: Bij ‘t veurbereide vaan de batch veur dees steine is ‘t gebruukde aondeil fien siliciumpoeier lieger es dat vaan ‘t siliciumcarbide.